Категории
M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

Производитель: GOODRAM
Код: 843645
Арт.: IR-SSDPR-P34B-512-80
Наличие: В наличии

Цена:

Введите ваше имя и телефон и мы вам перезвоним!

Тема звонка:

Имя:

Телефон:

Сообщение:


Быстрый заказ

M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

Для быстрого заказа нам нужен ваш контактный телефон. Мы свяжемся с вами для уточнения деталей заказа, адреса и времени доставки.

Имя:

Телефон:


Нашли дешевле?

M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

M.2 NVMe SSD GOODRAM IRDM 512GB

Нашли дешевле? Напишите нам и вы вправе получить скидку.

Имя:

Телефон:

Ссылка на магазин где нашли дешевле *:

Описание
Краткое описание
M.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 2000 MB/s, Random 4K Read/Write 295K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC
Характеристики
ХарактеристикиКатегория: SSD Part Number: IR-SSDPR-P34B-512-80 Модель: IRDM Форм-Фактор: M.2 2280 Скорость чтения: 3200 МБ/с Скорость записи: 2000 МБ/с Ёмкость накопителя: 512 GB Скорость произвольного чтения: 295,000 IOPS Интерфейс: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3 Скорость произвольной записи: 500,000 IOPS Тип ячеек памяти: 3D NAND TLC Контроллер: 8-Channel Phison E12
Характеристики
Категория: SSDКонтроллер: 8-Channel Phison E12
КатегорияSSD
Part NumberIR-SSDPR-P34B-512-80
МодельIRDM
Форм-ФакторM.2 2280
Скорость чтения3200 МБ/с
Скорость записи2000 МБ/с
Ёмкость накопителя512 GB
Скорость произвольного чтения295,000 IOPS
ИнтерфейсPCIe3.0 x4 / NVMe1.3
Скорость произвольной записи500,000 IOPS
Тип ячеек памяти3D NAND TLC
Контроллер8-Channel Phison E12

Внимание! Уточняйте наличие товара, его комплектацию и цену у нашего оператора. Внешний вид, характеристики и комплектация товара могут меняться без предварительного уведомления.

Цена 0 не является публичной офертой.

-->
Товары Дня